快充行業風口已經來臨，PD快充三大安全挑戰及對策！

　　自從2017年9月蘋果iphoness 8首次引進快充技術，在隨後的iphoness X、iphoness Xs、iphoness Xs Max、iphoness Xr等所有iphoness機型都將支持USB PD快速充電功能作為標準配置，9月11日，喬布斯劇院召開2019年秋季新品發布會，正式發布2019年的三款全新的iphoness手機：iphoness 11、iphoness 11 Pro和iphoness 11 Pro Max，三款手機均支持18W USB PD快充，其中iphoness 11 Pro係列的兩款機型更是標配了USB-C接口的18W PD充電器和USB-C to Lightning快充數據線，是USB PD快充發展史上的轉折點，標誌著快充行業風口已經來臨。
 

　　
 

　　目前由於PD充電器的功率密度提高及輸出電壓範圍變寬，電源設計麵臨著3大安全挑戰：　　

　　1、電網波動：市電異常高壓易導致輸入電容爆裂，開關管、保險絲等元器件損壞！　　

　　2、功率器件發熱：快充因功率密度提高，異常工況下，功率器件大量發熱，有熔化外殼風險！　　

　　3、輸出過壓：異常工況下(開環)，輸出電壓高上加高，若超過PMU耐壓，有損壞手機風險！

　　

　　在2019（秋季）USB PD＆Type-C 亞洲大會上，芯朋微應用技術總監——王曠先生主講了《如何讓PD快充更安全？》，發布最新PD快充重磅IC及18-60W全係列安全PD充電解決方案！

　　

　　一、市電異常高壓對充電器的影響及對策　　

　　市電高壓下，高壓電解電容的漏電流損耗會增加，當C2過熱開閥損壞後，等價為nF級電容，差模電感L1加變壓器漏感與寄生電容發生振蕩，振蕩尖峰電壓高達數百伏，易導致Q1擊穿，進而損壞CS電阻等多個元器件。

　　

　　對策1：直接采樣市電保護技術　　

　　PN8275P內部850V高壓模塊，通過HV腳直接監控市電，實現市電精準OVP保護HV腳還兼有X電容放電和高壓啟動功能，PN8275P外驅MOS方案適用於30W/45W/60WPD快充應用。

　　

　　對策2：間接釆樣市電保護技術　　

　　PN8161P(18WPD快充)內置市電保護模塊，在開關管導通階段，通過仁dmg電流判斷市電，可實現5%精度市電OVP保護，移除傳統方案實現市電保護所需的9顆元器件。

　　

　　實驗結果：（以18W PD為例）　　

　　市電OVP精準保護：升高市電至321ac時PN8161P自動關閉PpWM，由於高壓電容損耗降低及環溫降低，從而有效保護高壓電容。　
　

　　　

　　CH1：輸出電壓；CH4：市電

　　

　　有效識別雷擊幹擾：雷擊發生時，高壓電容電短時間超過市電OvP閾值(464VDC)，PN8161R自動識別為雷擊幹擾信號，輸出電壓正常推持。
 

　　

　　CH1：輸出電壓；CH4：高壓電容電壓

　　

　　二、異常過溫對充電器的影響及對策　　

　　由於人體可觸摸到充電器的外殼，安規要求外殼溫度需低於75度。PD快充由於功率密度更高，異常工況下功率器件大量發熱，有熔化外殼風險。

　　

　　對策：控製芯片內置OTP保護市電　　

　　PN8161(18W PD)集成控製器+智能MOS，采用3D疊層封裝技術控製器精準監控功率MOS溫度，實現低成本、精準快過熱安全保護。　　

　　PN8275(30-60W PD)同時提供芯片內部和芯片外部的雙重OTP保護。芯片內溫度超過145℃，芯片進入過溫保護狀態；通過外部NTC檢測係統熱點是否超過定值，複用CS腳實現保護。

　　

　　實驗結果：（以18W PD為例）　　

　　加重負載，功率器件溫升不斷升高，當PN8161表麵溫度至127.3度，充電器OTP保護。
　

　

　　CH1：PN8161；CH2：變壓器；CH3：殼內環溫

　　

　　三、輸出過壓對充電器的影響及對策　　

　　異常工況下(如閉環控製異常)，PD充電器輸出電壓會高上加高，如果USB口電壓超過手機內部的PMU單元耐壓(典型值16V)，則損壞手機！因此，應合理設計充電器的輸出過壓保護(典型值低於15V)。
　　

　　對策：PN8275/PN8161在變壓器去磁期間采樣輔助繞組電壓，通過對輸出電壓的間接采用實現異常過壓保護。
　　

　　實驗結果：（以18W PD為例）　　

　　短路光耦次級模擬反饋異常，輸出電壓升高至14.4V時，觸發PN8161輸出過壓保護。　

　

　　CH1：輸出電壓；CH4: PN8161芯片供電

　　

　　PN8161典型應用於18W PD充電器，除外圍精簡外，芯片通過DMG腳開關波形間接采樣市電和輸出電壓，實現市電OVP和輸出電壓OVP，避免充電器內部器件或手機PMU過壓損壞。芯片采用3D疊層封裝技術，控製器可精準監控內部智能功率MOS溫度，實現低成本、精準快OTP，有效防止功率器件過熱引起的安全問題。
 

　　

　　18W PD快充方案亮點：　　

　　節省10顆以上外圍： 無啟動電阻、無CS偵測網絡，原副邊均實現SOP8功率集成；　　

　　滿足CoC V5 Tier 2：專利高壓啟動，實現30mW待機功耗；工作曲線隨輸出電壓自適應，不同輸出電壓下平均效率裕量均大於4個點；　　

　　EMC性能卓越：抖頻幅度隨負載自適應，改善傳導；DCM/QR工作模式，避免次級整流管反向恢複問題，改善輻射；　　

　　3.3~12V寬輸出電壓範圍：PN8161/PN8307H供電範圍寬，無需額外LDO穩壓；　　

　　協議芯片任意搭：SSR架構，方案易滿足PD3.0/QuickCharge 4+。
 

　　

　　PN8275典型應用於30W/45W/60W PD充電器，芯片通過850V耐壓HV腳直接監控市電實現市電OVP保護，並兼具高壓啟動、X電容放電等功能。芯片內置片內OTP和片外OTP，可監控充電器多個熱點，實現雙重OTP保護，更安全。此外，DMG實現輸出過壓保護和OCP線電壓補償，避免輸出電壓異常損壞手機電池管理電路。

　　

　　午夜福利视频一区電子作為芯朋微一級代理商、本著為客戶提供低價格、高效率，低功率，高效應的宗旨，合作三年有餘，致力於電源方案設計開發及芯片銷售，團隊具有8年以上電源方案設計經驗，擁有豐富的開關電源、充電器、適配器、小家電等產品的實戰應用經驗及現場技術支持服務，為客戶提供一站式的電源解決方案，更多PD快充產品的詳細手冊或技術資料，請向午夜福利视频一区電子申請。>>