MOS驅動電流計算的三種方法

    在光耦驅動的電路中，針對MOS管的驅動電流是需要特別進行估算的。當然估算的方式不止一種，一般常用的估算方式有3種方式，本文就將對這三種估算方式進行介紹。並對每種估算方式進行講解，感興趣的朋友快來看一看吧。

 

    公式估算法

 

    可以使用如下公式對MOS管的驅動電流進行估算：

 

    Ig=Qg/Ton

 

    其中：Ton=t3-t0≈td（on）+tr

 

    td（on）：MOS導通延遲時間，從有駛入電壓上升到10%，開始到VDS下降到其幅值90%的時間。

 

    Tr：上升時間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間。

 

    Qg=（CEI）（VGS）或Qg=Qgs+Qgd+Qod（可在datasheet中找到）。

 

    公式估算法的變形

 

    密勒效應時間（開關時間）Ton/off=Qgd/Ig；

 

    Ig=[Vb-Vgs（th）]/Rg；

 

    Ig：MOS柵極驅動電流；Vb：穩態柵極驅動電壓；

 

    曲線估算發

 

    以IR的IRF640為例，看DATASHEET裏有條TotalGateCharge曲線。該曲線先上升然後幾乎水平再上升。水平那段是管子開通（密勒效應）。假定設計者希望在0.2us內使管開通，估計總時間（先上升然後水平再上升）為0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A。當然這是峰值，僅在管子開通和關短的各0.2us裏有電流，其他時間幾乎沒有電流，平均值很小，但如果驅動芯片不能輸出此峰值，管子的開通就會變慢。

 

    本文主要為大家介紹了3種目前較為常見的對於光耦應用中MOS管進行估算的方法。每種方法都有其自身的特點，根據不同的情況，設計者可以根據公式或曲線模式來對MOS管的取值進行估算。