三星 有望成為世界第一的半導體公司

        世界最大規模三星電子京畿道平澤工業園正式動土，三星電子在與去年迎來四十周年之際將有望超越因特爾走上跨越式發展道路。

 

　　本月7日韓國總統樸槿惠與三星副會長李在龍等600名相關人士出席了，三星電子在位於韓國京畿道平澤市的高德國際化企劃地區產業園區內進行的“三星電子平澤半導體基地開工典禮”。

 

　　三星平澤半導體園區占地麵積289萬平方米，越400個足球場地大小。其中第一階段廠房麵積為28.3萬平米是全體的三分之一。三星電子預期投資高達15.6萬億韓元，其投資規模創曆史新高。

 

　　三星電子平澤半導體園區預計於2017年正式投入使用。而其是用來生產存儲器半導體還是用來量產係統整合晶片尚未得到定論。距工廠投入使用還有至少兩年的時間，三星電子表示將用這兩年的時間用來洞察市場需求來決定生產線運行。

 

        三星電子表示“半導體的聲場項目是需要冷靜分析市場未來需求的”同時表示“將會強化近年市場需求極增的移動通信與服務器配件生產，同時不斷提高自身，為下一代物聯網(Internet of Things，縮寫IoT)的新需求做好充分準備”。

 

　　當日參加開工典禮的樸槿惠總統發表講話“三星店子因其本身大膽而富有創新意識的企業精神，使其成功世界半導體產業的領軍人物。”“係統半導體如今也在互聯網，人工智能，自主形式機動車中也占據相當重要的位置，在日新月息的當代社會希望三星企業一如既往不斷改革創新穩固自己的領先地位。”

 

　　同日，三星電子半導體總長金奇南接受記者采訪表示“第一階段園區一旦投入使用將有望提升百分之十的生產率。”同時又表示“運行之後並非即刻提升而是需要跟從市場情況做進一步反應。”

 

　　三信電子發言人表示三星很有信心成為綜合半導體的世界第一。因為三星在過往的22年間利用企業自身的超強能力維持著自己領頭羊的地位。三星於去年進行的世界最初2D納米DRAM量產的成功，證明三星在螺旋3D vertical NAND領域也可獲得同樣的成功。

 

　　根據市場調查組織IHS的調查結果表明目前位居第二的三星電子(14.1% 380億美元)與半導體市場占有率第一的英特爾公司(14.1% 449億6千萬美元)相差值縮減到不過3.4%。這意味著2017年三星平澤產業園一旦投入使用的，三星電子將會一躍成為半導體市場的全球第一。