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EMI的設計規範

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文章出處:午夜福利视频一区電子責任編輯:admin人氣:-發表時間:2016-08-10 15:12
    在PCB設計過程中便對EMI進行抑製,便能夠在最大程度上在最後的過程中為EMI抑製的設計節省非常多的時間。那麽下麵午夜福利视频一区就來了解一下它的設計規範。
 
    IC的電源處理
 
    保證每個IC的電源PIN都有一個0.1UF的去耦電容,對於BGACHIP,要求在BGA的四角分別有0.1UF、0.01UF的電容共8個。對走線的電源尤其要注意加濾波電容,如VTT等。這不僅對穩定性有影響,對EMI也有很大的影響。
 
    時鍾線的處理
 
    1、建議先走時鍾線。
 
    2、頻率大於等於66M的時鍾線,每條過孔數不要超過2個,平均不得超過1.5個。
 
    3、頻率小於66M的時鍾線,每條過孔數不要超過3個,平均不得超過2.5個
 
    4、長度超過12inch的時鍾線,如果頻率大於20M,過孔數不得超過2個。
 
    5、如果時鍾線有過孔,在過孔的相鄰位置,在第二層(地層)和第三層(電源層)之間加一個旁路電容、如圖2.5-1所示,以確保時鍾線換層後,參考層(相鄰層)的高頻電流的回路連續。旁路電容所在的電源層必須是過孔穿過的電源層,並盡可能地靠近過孔,旁路電容與過孔的間距最大不超過300MIL。
 
    6、所有時鍾線原則上不可以穿島。下麵列舉了穿島的四種情形。
 
    跨島出現在電源島與電源島之間。此時時鍾線在第四層的背麵走線,第三層(電源層)有兩個電源島,且第四層的走線必須跨過這兩個島.
 
    跨島出現在電源島與地島之間。此時時鍾線在第四層的背麵走線,第三層(電源層)的一個電源島中間有一塊地島,且第四層的走線必須跨過這兩個島。
 
    跨島出現在地島與地層之間。此時時鍾線在第一層走線,第二層(地層)的中間有一塊地島,且第一層的走線必須跨過地島,相當於地線被中斷。
 
    時鍾線下麵沒有鋪銅。若條件限製實在做不到不穿島,保證頻率大於等於66M的時鍾線不穿島,頻率小於66M的時鍾線若穿島,必須加一個去耦電容形成鏡像通路。以圖6.1為例,在兩個電源島之間並靠近跨島的時鍾線,放置一個0.1UF的電容。
 
    當麵臨兩個過孔和一次穿島的取舍時,選一次穿島。
 
    時鍾線要遠離I/O一側板邊500MIL以上,並且不要和I/O線並行走,若實在做不到,時鍾線與I/O口線間距要大於50MIL。
 
    時鍾線走在第四層時,時鍾線的參考層(電源平麵)應盡量為時鍾供電的那個電源麵上,以其他電源麵為參考的時鍾越少越好,另外,頻率大於等於66M的時鍾線參考電源麵必須為3.3V電源平麵。
 
    時鍾線打線時線間距要大於25MIL。
 
    時鍾線打線時進去的線和出去的線應該盡量遠。
 
    注意各個時鍾信號,不要忽略任何一個時鍾,包括AUDIOCODEC的AC_BITCLK,尤其注意的是FS3-FS0,雖然說從名稱上看不是時鍾,但實際上跑的是時鍾,要加以注意。
 
    ClockChip上拉下拉電阻盡量靠近ClockChip。
 
    I/O口的處理
 
    各I/O口包括PS/2、USB、LPT、COM、SPEAKOUT、GAME分成一塊地,最左與最右與數字地相連,寬度不小於200MIL或三個過孔,其他地方不要與數字地相連。
 
    若COM2口是插針式的,盡可能靠近I/O地。
 
    I/O電路EMI器件盡量靠近I/OSHIELD。
 
    I/O口處電源層與地層單獨劃島,且Bottom和TOP層都要鋪地,不許信號穿島(信號線直接拉出PORT,不在I/OPORT中長距離走線)。
 
    幾點說明
 
    一、對EMI設計規範,設計工程師要嚴格遵守,EMI工程師有檢查的權力,違背EMI設計規範而導至EMI測試FAIL,責任由設計工程師承擔。
 
    二、.EMI工程師對設計規範負責,對嚴格遵守EMI設計規範,但仍然EMI測試FAIL,EMI工程師有責任給出解決方案,並總結到EMI設計規範中來。
 
    三、EMI工程師對每一個外設口的EMI測試負有責任,不可漏測。
 
    四、每個設計工程師有對該設計規範作修改的建議權和質疑的權力。EMI工程師有責任回答質疑,對工程師的建議通過實驗後證實後加入設計規範。
 
    五、EMI工程師有責任降低EMI設計的成本,減少磁珠的使用個數。
 
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